Receiver & preamplifier, fibre optic

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Ingenium, 2006.0151.001
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TYPE D’OBJET: semiconductor photodiode/PIN/10Gbps
DATE: 2000
NUMÉRO DE L’ARTEFACT: 2006.0151.001

FABRICANT: Nortel Networks
MODÈLE: NT8L73PA
EMPLACEMENT: Paignton, England

Plus d’information

Renseignements généraux

Nº de série: S/O
Nº de partie: 1
Nombre total de parties: 2
Ou: S/O
Brevets: S/O
Description générale: Ferrous metal casing/ Metal wiring and parts/ Synthetic connector, wire covering and parts

Dimensions

Remarque : Cette information reflète la taille générale pour l’entreposage et ne représente pas nécessairement les véritables dimensions de l’objet.

Longueur: 4,0 cm
Largeur: 3,7 cm
Hauteur: 1,4 cm
Épaisseur: S/O
Poids: S/O
Diamètre: S/O
Volume: S/O

Lexique

Groupe: Communications
Catégorie: Téléphonie
Sous-catégorie: S/O

Fabricant

Ou: Nortel
Pays: England
État/province: Inconnu
Ville: Paignton

Contexte

Pays: Worldwide
État/province: Inconnu
Période: circa 2000 +
Canada: Designed at Nortel optical lab at 3500 Carling Ave., Ottawa in 1992-1993, this fibre optic device went into production at Nortel's Paignton, UK facility in 1994. Nortel was the first optical equipment vendor to introduce optical transmitters and receivers able to operate at 10 Gbps, the OC192 industry standard for fibre optic networks. As a result, Nortel enjoyed market dominance in these products for the rest of the decade. During its peak production years, 1998-2000, Nortel was producing 300,000 units annually, selling each for about $3,000. An extremely reliable device, at one time approximately one million NT8L73Ps were in operation in the field. They were a major component in the expansion of high capacity fibre networks worldwide in the 1990s.
Fonction: A device used to detect an incoming optical signal, convert it to an electrical signal and amplify the output in a fibre optic network.
Technique: The NT8L73PA contains two integrated circuits, or chips, a PIN diode detector made of Indium phosphide (InP) and an amplifier made of gallium arsenide (GaAs). A PIN diode is a semiconductor device consisting of a P (positively charged) layer and an N (negatively charged) layer separated by an I (intrinsic) layer.
Notes sur la région: Inconnu

Détails

Marques: None
Manque: Unknown
Fini: Gold coloured casing/ Yellow wire covering with black joiner/ Blue and white connector
Décoration: S/O

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Nortel Networks, Receiver & preamplifier, fibre optic, vers 2000, Numéro de l'artefact 2006.0151, Ingenium - Musées des sciences et de l'innovation du Canada, http://collections.ingeniumcanada.org/fr/item/2006.0151.001/

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